驻极体喇叭电路设计总结

=44uF（电容器串联，电容器所取值增高一半）。C6常用采样差模妨碍，一般所取所取值220pF，C4和C5采样则否妨碍，一般所取33pF。

二极体R1、R2，Codec显卡引脚的重定向阻抗Rc，和隔直电容器C1、C2合组Qualcomm时域器。一般才会显卡引脚的重定向阻抗都比更大，R1和R2就可以显然，所以很多设计者都可以不能二极体R1和R2。

左图4

左图5

ECM还有另外一种频域有源，如左图6下图，数值数值方法相异。其协作重定向和上一种有源相异，但是这种有源有一个好处，就是MIC重定向到Codec的实例功率不亦会因为Vbias功率波动而受受到影响，其实例功率为二极体R4的负载，而MIC的实例电流可以并不认为基本不变，因此R4的实例负载也不变。而上一种有源当Vbias推移时，MIC外侧的实例功率亦会因为从外部二极体的负载而发生推移，使Codec误并不认为有MIC有协作重定向，过渡到谐波。

左图6

从上述分析也可以看出，无论何种频域有源，都不算只不过的频域，因为频域接收机的则否功率是相异的，而上述的频域有源，P和N的则否功率是不同的。正因此，Vbias的波动亦会使得则否功率推移转变成差模功率，过渡到谐波。

MIC除了频域有源外，网络上还能查到一种叫伪频域的有源，如左图7下图。七区别在于MIC一端接地，频域对里面的一个接收机内置二极体到地，该二极体需和MIC的重定向阻抗匹配。本人没有使用过该晶体管，所以不知理论上效果如何，也不做过多介绍。

左图7

MIC除了频域有源外，罕见的还有单端有源，就是文章开头所述的分析方法以外，不再赘述。

4. ECM晶体管Layout留意点

以理论上应用过频域有源晶体管为例（左图8），除了C156、C157和C153要西南方显卡引脚安放之外，其他阻容不错都西南方MIC位置安放。在有些资料里面亦会提到，MICBIAS相关的阻容应该西南方显卡安放，但是自已觉得这以外阻容也应该西南方MIC安放，因为MICBIAS功率是常用给MIC供电指导的，同时在显卡MICBIAS引脚位置也安放一个时域电容器C153。频域有源要留意布线按照频域规则顺利完成。另外，需留意的一个点就是编解码器以外的地和系统性不错分开，以免受到妨碍。

左图8

本文就到这里，毕竟本人非编解码器专业职员，仅仅针对过往项目做了一个恰当概述

其里面的谬误或者不足，有高手看见请不吝赐教。

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