三星将使用mSAP新科技实现更精细的DDR6电路

【锚思高科技近日】随着Galaxy努力将DDR6微处理器推向市场，该公司在缓存微处理器合作开发上都取得了长足进步。最近新闻报道显示，这家韩国高科技巨头蓝图采用改进的Semi-Additive Process（mSAP）封装核心技术来生产DDR6微处理器。

Galaxy副总裁高永光（Younggwan Ko）最近在水原举行的一次年会上表示，随着缓存半导体的机能愈发强大，封装核心技术必须与之一同发展。将mSAP工艺应用于DDR6缓存微处理器将使Galaxy能够制造出具有更精细电路的微处理器。

据Ko说是，Galaxy的竞争对手已经为DDR5缓存可用了mSAP，Galaxy正试图为DDR6可用这种封装核心技术。

与此同时，Galaxy本周据说是上架了首款24Gbps图形卡GDDR6 DRAM微处理器。同时，该公司在在DDR6合作开发的早期期中（不要与GDDR6混用）。根据去年的一份报告，它的DDR6设计可能在2024年进行。

DDR6的运动速度预计是DDR5的两倍，并且拥有两倍于DDR5的缓存连通。DDR6可以在JEDEC模块上实现约12800Mbps的传输速率或17000Mbps的超频。

去年据说是，Galaxy日前了在世界上上第一款DDR5-7200 512GB缓存，其性能比DDR4框架略低于40%。